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J-GLOBAL ID：200902223635495503   整理番号：05A0581636

金属有機蒸気相エピタキシーによるGaAsナノワイヤーの触媒無し成長

Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vapor-phase epitaxy

著者 (3件)： NOBORISAKA Jinichiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MOTOHISA Junichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 86  号： 21  ページ： 213102.1-213102.3  発行年： 2005年05月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 選択エリア(SA)有機金属気相エピタキシャル(MOVPE)成...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸気相 ,  エピタキシー ,  GaAs ,  ナノワイヤー ,  触媒 ,  成長