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J-GLOBAL ID：200902223788556870   整理番号：04A0167385

マイクロ波によるソースの直接加熱によるバルクAlN結晶の成長

Bulk AlN crystal growth by direct heating of the source using microwaves

著者 (9件)： ZHUANG D (Kansas State Univ., KS, USA) ,  EDGAR J H (Kansas State Univ., KS, USA) ,  HUEY H E (Micramics, Inc., CA, USA) ,  JIANG H X (Kansas State Univ., KS, USA) ,  LIN J Y (Kansas State Univ., KS, USA) ,  KUBALL M (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  MOGAL F (Wichita State Univ., KS, USA) ,  CHAUDHURI J (Wichita State Univ., KS, USA) ,  REK Z (Stanford Linear Acelerator Center, CA, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 262  号： 1/4  ページ： 168-174  発行年： 2004年02月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 昇華-再凝固法を利用したマイクロ波加熱炉によるAlN単結晶成...

シソーラス用語： 高周波加熱 ,...
準シソーラス用語： 昇華再結晶法

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分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： マイクロ波 ,  ソース ,  直接加熱 ,  バルク ,  AlN ,  結晶 ,  成長