ギガヘルツ応用のためのCoFeB薄膜の異方性磁場のB濃度依存性

MUNAKATA Makoto; AOQUI Shin-Ichi; YAGI Masaaki

文献

J-GLOBAL ID：200902224292951725 整理番号：05A0954937

ギガヘルツ応用のためのCoFeB薄膜の異方性磁場のB濃度依存性

B-Concentration Dependence on Anisotropy Field of CoFeB Thin Film for Gigahertz Frequency Use

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巻： 41 号： 10 ページ： 3262-3264 発行年： 2005年10月
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

異方性磁場が500Oe以上の薄膜を得るために,同期させた三重...

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金属の磁区及び磁化過程 , 金属薄膜 , 磁性材料

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