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J-GLOBAL ID：200902224317095756   整理番号：06A0925362

ナノメータ技術に対するSRAMセルの読取安定性と書込性能解析

Read Stability and Write-Ability Analysis of SRAM Cells for Nanometer Technologies

著者 (6件)： GROSSAR Evelyn (IMEC, Leuven, BEL) ,  GROSSAR Evelyn (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  STUCCHI Michele (IMEC, Leuven, BEL) ,  MAEX Karen (IMEC, Leuven, BEL) ,  MAEX Karen (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  DEHAENE Wim (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 41  号： 11  ページ： 2577-2588  発行年： 2006年11月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SRAMセル設計は最新のシステムオンチップ(SoC)で高集積...

シソーラス用語： データ読取 ,...
準シソーラス用語： *N曲線メトリックス ,...

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分類 (2件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノメータ ,  SRAM ,  セル ,  読取 ,  安定性 ,  書込 ,  性能解析