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J-GLOBAL ID：200902224525496780   整理番号：08A0339099

四面体非晶質炭素膜被覆磁気ヘッド上の自己組織化単分子層の成長

Growth of self-assembled monolayer on tetrahedral amorphous carbon film coated magnetic head

著者 (6件)： ZHANG Huayu (Shenzhen Graduate School, Harbin Inst. of Technol., Shenzhen Univ. Town, Xili, Shenzhen 518055, CHN) ,  TAN Manlin (Shenzhen Graduate School, Harbin Inst. of Technol., Shenzhen Univ. Town, Xili, Shenzhen 518055, CHN) ,  ZHU Zhenye (Shenzhen Graduate School, Harbin Inst. of Technol., Shenzhen Univ. Town, Xili, Shenzhen 518055, CHN) ,  WANG Yulei (Shenzhen Graduate School, Harbin Inst. of Technol., Shenzhen Univ. Town, Xili, Shenzhen 518055, CHN) ,  MA Hongtao (SAE Technologies Dev. (Dongguan) Co., Ltd. Dongguan 523087, CHN) ,  HAN Jiecai (Shenzhen Graduate School, Harbin Inst. of Technol., Shenzhen Univ. Town, Xili, Shenzhen 518055, CHN)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 202  号： 15  ページ： 3451-3456  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四面体非晶質炭素(ta-C)膜によりオーバコートした磁気ヘッドを1H,1H,2H,2H-ペルフルオロデシルトリクロロシラン(FDTS)溶媒中に予定の異なる時間浸漬した。ta-C表面上のFDTS自己組織化単分子層(SAM)の成長が飛行時間二次イオン質量分析により確かめられた。低温エピタキシャル膜成長の理論モデルに類似して,成長プロセス中に4つの異なる段階を観測した:1)低被覆(核形成),2)成長,3)合体,4)完全な単分子層。脱イオン水による接触角測定を行い,FDTS単分子層成長プロセス中の接触角の時間依存性を調べた。原子間力顕微鏡法(AFM)によりFDTS単分子層の表面形態とプロファイル,粗さ(rms)を決定した。さらに透過電子顕微鏡法により,AFMと接触角の結果と一致する単分子層厚さと分布の変動を明らかにした。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *自己組織系 ,  *単分子層 ,  四面体 ,  炭素繊維 ,  炭素材 ,  *磁気ヘッド ,  浸漬 ,  被覆率 ,  核形成 ,  合体 ,  エピタクシー ,  接触角 ,  ガラス状炭素 ,  脱イオン水
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *自己集合単分子層 ,  非晶質炭素

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

物質索引 (1件)： (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシル)トリクロロシラン

タイトルに関連する用語 (4件)： 四面体非晶質炭素 ,  磁気ヘッド ,  自己組織化単分子層 ,  成長