文献

J-GLOBAL ID：200902224709805930   整理番号：08A0549030

交互の単原子層堆積によって作ったFePt/Au/FePtナノピラー中でのスピン移動スイッチングおよび熱安定性

Spin-Transfer Switching and Thermal Stability in an FePt/Au/FePt Nanopillar Prepared by Alternate Monatomic Layer Deposition

著者 (7件)： YAKUSHIJI Kay (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YUASA Shinji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NAGAHAMA Taro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKUSHIMA Akio (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KUBOTA Hitoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KATAYAMA Toshikazu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ANDO Koji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 4  ページ： 041302.1-041302.3  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 交互の単原子層体積によって垂直異方性を持つ1nm厚みFePtフリー層を有する面に垂直な電流巨大磁気抵抗(CPP-GMR)ナノピラーを作製した。[Fe(1単分子膜(ML))/Pt(1ML)]_n(n:交互周期の数)強磁性層およびAuスペーサ層から成るナノピラーは室温でスピン-移動誘起スイッチングを示した。60の大きな熱安定性パラメター(Δ)を有する1.1×10⁷A/cm²の平均臨界スイッチング電流密度(J_c0)が1.02nm(n=3)のフリー層厚みおよび110nmのピラー直径を有するナノピラー中で得られた。高い垂直異方性を有する超薄自由層が大きなΔおよび小さなJ_c0の両方を得るために有効であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 単原子層 ,  化学蒸着 ,  鉄 ,  白金 ,  金 ,  多層膜 ,  電子スピン ,  スイッチング ,  熱安定性 ,  ナノ構造 ,  金属薄膜 ,  *磁性薄膜 ,  *垂直磁気異方性 ,  強磁性体 ,  スペーサ ,  スピン分極 ,  輸送現象 ,  ナノピラー
準シソーラス用語： スピント輸送 ,  原子層堆積

分類 (1件)： 金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S)

引用文献 (22件)：

• BERGER, L. Phys. Rev. B. 1996, 54, 9353
• SLONCZEWSKI, J. C. J. Magn. Magn. Mater. 1996, 159, L1
• KATINE, J. A. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 3149
• GROLLIER, J. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3663
• MYERS, E. B. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 196801

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層堆積 ,  Au ,  ナノピラー ,  スピン移動 ,  スイッチング ,  熱安定性