文献

J-GLOBAL ID：200902225478893985   整理番号：08A0035452

半導体ガスセンサーの力則理論

Theory of power laws for semiconductor gas sensors

著者 (2件)： YAMAZOE Noboru (Dep. of Energy and Material Sciences, Fac. of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga-shi ...) ,  SHIMANOE Kengo (Dep. of Energy and Material Sciences, Fac. of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga-shi ...)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 128  号： 2  ページ： 566-573  発行年： 2008年01月15日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ターゲットガス(部分圧P)に曝された半導体ガスセンサーの電気抵抗はPⁿに比例する(nはターゲットガスに固有の定数)という力則が経験的に知られている。このような力則の基礎となる理論を研究した。その結果,この力則は半導体の空乏理論と結合させ,吸着ないし反応力学によって表面状態(表面電荷)とバルク間の電子分布を処理して誘導することがわかった。この電子分布は表面電荷の蓄積あるいは減少の原因になっている。その結果生じる力則は酸素,還元ガスおよび酸化ガスに対するセンサーの応答特性をよく表すことができる。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体 ,  *ガスセンサ ,  *電気抵抗率 ,  *分圧 ,  べき ,  空乏層 ,  電子密度 ,  表面電荷 ,  酸素 ,  還元剤 ,  酸化剤

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： ガスセンサー ,  力 ,  理論