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J-GLOBAL ID：200902225558069345   整理番号：09A0424757

Internal Photoemission(IPE)測定を用いたGe/GeO₂の電子構造の決定

著者 (5件)： 鷹本靖欣 (東大 大学院工学系研究科) ,  西村知紀 (東大 大学院工学系研究科) ,  長汐晃輔 (東大 大学院工学系研究科) ,  喜多浩之 (東大 大学院工学系研究科) ,  鳥海明 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 2  ページ： 842  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電子構造 ,  半導体材料 ,  ゲルマニウム ,  酸化ゲルマニウム ,  バンドオフセット ,  *光伝導 ,  *MIS構造 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  薄膜コンデンサ ,  *内部光電効果
準シソーラス用語： MISコンデンサ

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  GeO2 ,  電子構造