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J-GLOBAL ID：200902225589206200   整理番号：08A0443037

π共役系高分子アーキテクチャー

著者 (2件)： 横澤勉 (神奈川大 工) ,  七島祐 (神奈川大 工)
資料名： 高分子  (Polymers)
巻： 57  号： 5  ページ： 368-373  発行年： 2008年05月01日 
JST資料番号： F0168A  ISSN： 0454-1138  CODEN： KOBUA3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光学的・電子的性質を生かして多面的な応用が見込まれるπ-共役系高分子について,連鎖重合で進行する制御された重合法の開発およびアーキテクチャの合成について概説した。配置規則性ポリ(ヘキシルチオフェン)を与えるNi触媒,付加反応,脱離反応重合を再検討し,触媒量のNi(dppp)Cl₂(dppp=1,3-ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン)で,分子量分布の低い位置規則性ポリ(ヘキシルチオフェン)(I)を得た。Iの電気的特性を評価し,構成されるナノフィブリル組織体の幅がポリマの分子量に比例して増加し,それらの電解トランジスタ移動度がフィブリルの幅に対して指数的に増加することを見出した。同様の検討をポリフェニレン,N-ヘキシルピロールに関して行い,後者で分子量分布(Mw/Mn)を1.25以下に制御したポリ(N-ヘキシルピロール)を合成した。適当な保護基を持つアリールGrignard試薬を用いてヒドロキシル基,ホルミル基,アミノ基をポリチオフェン末端に導入できる。この反応を利用して,π-共役系高分子ブラシ,π-共役系高分子-汎用高分子ブロック共重合体,π-共役系高分子-デンドロンブロック共重合体,π-共役系高分子-π-共役系高分子ブロック共重合体などの新しいアーキテクチャを合成した。

シソーラス用語： *高分子 ,  重合体 ,  電気測定 ,  ナノファイバ ,  ナノ構造 ,  *分子構造 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  ポリフェニレン ,  ポリピロール ,  ブロック共重合体 ,  ポリチオフェン ,  分子量分布 ,  共役重合体
準シソーラス用語： *π-共役系高分子 ,  共役高分子 ,  電気的測定 ,  ナノフィブリル ,  ナノ繊維 ,  ナノ組織 ,  *アーキテクチャ【高分子】 ,  ポリ(N-ヘキシルピロール)

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

引用文献 (37件)：

• HOEBEN, F. J. M. Chem. Rev. 2005, 105, 1491
• YOKOYAMA, A. Macromolecules. 2004, 37, 1169
• SHEINA, E. E. Macromolecules. 2004, 37, 3526
• YOKOZAWA, T. Prog. Polym. Sci. 2007, 32, 147
• MCCULLOUGH, R. D. Adv. Mater. 1998, 10, 93

タイトルに関連する用語 (2件)： 共役系高分子 ,  アーキテクチャー