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J-GLOBAL ID：200902225623384075   整理番号：07A1007376

MOVPE選択成長法によるSi(111)基板上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤ成長

著者 (4件)： 冨岡克広 ,  本久順一 ,  原真二郎 ,  福井孝志
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 1  ページ： 334  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,...
準シソーラス用語： OMVPE ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  選択成長 ,  Si ,  III-V族化合物半導体 ,  ナノワイヤ ,  成長