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J-GLOBAL ID：200902225698926760   整理番号：06A0178319

多重バンドGaNAsP四元合金

Multiband GaNAsP quaternary alloys

著者 (9件)： YU K. M. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720) ,  WALUKIEWICZ W. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720) ,  AGER J. W. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720) ,  BOUR D. (Applied Materials, Santa Clara, California 95052) ,  FARSHCHI R. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720 Dep. of Materials Sci. and ...) ,  DUBON O. D. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720 Dep. of Materials Sci. and ...) ,  LI S. X. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720 Dep. of Materials Sci. and ...) ,  SHARP I. D. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720 Dep. of Materials Sci. and ...) ,  HALLER E. E. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720 Dep. of Materials Sci. and ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 88  号： 9  ページ： 092110-092110-3  発行年： 2006年02月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN_xAs<sub>1-y</sub...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： バンド反交差模型

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分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  結晶中の局在電子構造  (BM02090U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多重 ,  バンド ,  四元合金