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J-GLOBAL ID：200902225870677174   整理番号：07A1152399

プラズマCVD法による炭素薄膜の作製とエネルギーデバイスへの展開

Preparation of carbonaceous thin films by plasma-assisted chemical vapor deposition and their application to energy devices

著者 (5件)： 福塚友和 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  松尾吉晃 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  杉江他曾宏 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  安部武志 (京大 大学院工学研究科) ,  小久見善八 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 炭素
巻： 2007  号： 230  ページ： 352-361  発行年： 2007年11月15日 
JST資料番号： G0633A  ISSN： 0371-5345  CODEN： TASOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： プラズマCVD法の原理を概説した後,著者らのプラズマCVD法...

シソーラス用語： *プラズマCVD ,...
準シソーラス用語： 陰極 ,...

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分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

物質索引 (1件)： アセチレン

引用文献 (81件)：

• HIRAI, A. TANSO. 1987, 128, 41-49
• YU, H. A. TANSO. 1997, 178, 101-107
• YU, H. A. TANSO. 1997, 179, 145-152
• YU, H. A. Carbon. 1998, 36, 137-143
• YAMAMOTO, O. TANSO. 1998, 185, 256-261

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマCVD法 ,  炭素薄膜 ,  作製 ,  エネルギーデバイス ,  展開