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J-GLOBAL ID：200902225918508086   整理番号：06A0582641

ドープした薄膜酸化物及び窒化物半導体ならびに誘電体における強磁性

Ferromagnetism in doped thin-film oxide and nitride semiconductors and dielectrics

著者 (1件)： CHAMBERS Scott A. (Fundamental Sci. Directorate, Pacific Northwest National Lab., PO Box 999, MS K8-93, Richland, WA 99352, USA)
資料名： Surface Science Reports  (Surface Science Reports)
巻： 61  号： 8  ページ： 345-381  発行年： 2006年10月 
JST資料番号： E0422B  ISSN： 0167-5729  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイス用の強磁性半導体の分野における最終的な目的は,室温よ...

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,...

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分類 (3件)： 磁区・磁化過程一般  (BM06111M) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  薄膜酸化物 ,  窒化物半導体 ,  誘電体 ,  強磁性