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J-GLOBAL ID：200902225948043215   整理番号：04A0198826

時間分解光ルミネセンス及び陽電子消滅法によって調べた無歪Al_xGa_1-xN薄膜における放射及び非放射過程

Radiative and nonradiative processes in strain-free Al_xGa_1-xN films studied by time-resolved photoluminescence and positron annihilation techniques

著者 (9件)： ONUMA T ,  CHICHIBU S F ,  UEDONO A ,  SOTA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  CANTU P (Univ. California, CA) ,  KATONA T M (Univ. California, CA) ,  KEADING J F (Univ. California, CA) ,  KELLER S (Univ. California, CA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 95  号： 5  ページ： 2495-2504  発行年： 2004年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記薄膜について,定常状態及び時間分解(TR)光ルミネセンス...

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 時間分解光ルミネセンス ,  陽電子消滅法 ,  歪 ,  薄膜 ,  放射 ,  過程