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J-GLOBAL ID:200902226001083295   整理番号:08A0679799

InP基板上のInAs-In0.53Ga0.47As多重量子井戸を用いた波長2.33μmの分布帰還形レーザ

2.33-μm-Wavelength Distributed Feedback Lasers With InAs-In0.53Ga0.47As Multiple-Quantum Wells on InP Substrates
著者 (7件):
資料名:
巻: 20  号: 9/12  ページ: 1045-1047  発行年: 2008年05月01日 
JST資料番号: T0721A  ISSN: 1041-1135  CODEN: IPTLEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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活性域としてInAs-In0.53Ga0.47As多重量子井戸を用いた単一モード発光,波長2.33μmのInP系の分布帰還形(DFB)レーザを示した。25°CにおけるDFBレーザの波長は2.337μmであり,最大出力は20mWであった。また,最高動作温度は95°Cであり,注入電流とヒートシンクの温度を制御することにより,波長を13nm以上可変にできた。このDFBレーザは,その波長が一酸化炭素の吸収線と一致するので,一酸化炭素の検知用の光源として有用である。
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
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