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J-GLOBAL ID：200902226033797028   整理番号：08A1138479

プラスチック上低電圧高分子薄膜トランジスター用のプリント可能なイオン-ゲルゲート誘電体

Printable ion-gel gate dielectrics for low-voltage polymer thin-film transistors on plastic

著者 (8件)： CHO Jeong Ho (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  LEE Jiyoul (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  XIA Yu (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  KIM Bongsoo (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  HE Yiyong (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  RENN Michael J. (Optomec, Inc., Minnesota, USA) ,  LODGE Timothy P. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  FRISBIE C.Daniel (Univ. Minnesota, Minnesota, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 7  号： 11  ページ： 900-906  発行年： 2008年11月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低価格なフレキシブルエレクトロニクスの開発には,構成材料薄膜をプラスチック基板上に,溶液処理で構築可能な簡易プロセッシングの開発が必要である。本研究では,プリント可能な高誘電率を有するゲート誘電体膜の開発を行った。ゲート誘電体として,イオン性液体[EMIM][TFS]と高分子PS-PEO-PSから成るイオン-ゲルに注目し,Au/誘電体/ITO構造を作製し,容量の周波数依存性を評価した。誘電体としてPS-PEO-PSのみを用いた場合に比べ,イオン-ゲルは極めて高い容量を示した。イオン-ゲルを用いた有機TFTを作製し,その動作特性を評価した結果,開発したイオン-ゲルはプリント可能で,従来の高分子誘電体に比べ優れた特性を有することを明らかにした。

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  ゲート【半導体】 ,  フレキシブル基板 ,  *イオン液体 ,  ポリスチレン ,  ポリエチレンオキシド ,  周波数依存性 ,  *薄膜トランジスタ ,  有機半導体 ,  誘電体 ,  電流電圧特性 ,  エアロゾル ,  ゲル ,  ポリヘキシルチオフェン ,  高分子半導体 ,  ポリイミド ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  素子構造 ,  積層構造 ,  トリブロック共重合体 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： P3HT ,  イオンゲル ,  *ゲート誘電体 ,  高分子誘電体 ,  *有機TFT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 1-メチル-3-エチル-1H-イミダゾール-3-イウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミンアニオン

タイトルに関連する用語 (7件)： プラスチック ,  低電圧 ,  高分子薄膜 ,  トランジスター ,  イオン ,  ゲル ,  ゲート誘電体