文献

J-GLOBAL ID：200902226064330942   整理番号：06A0384325

特集 非古典的Si CMOSデバイスよ技術:ロードマップの拡張 ハイブリッド方位技術(HOT):好機と挑戦

Hybrid-Orientation Technology (HOT): Opportunities and Challenges

著者 (12件)： YANG Min (IBM, NY, USA) ,  CHAN Victor W. C. (Hopewell Junction, NY, USA) ,  CHAN Kevin K. (IBM, NY, USA) ,  SHI Leathen (IBM, NY, USA) ,  FRIED David M. (Hopewell Junction, NY, USA) ,  STATHIS James H. (IBM, NY, USA) ,  CHOU Anthony I. (Hopewell Junction, NY, USA) ,  GUSEV Evgeni (Qualcomm Microelectromechanical System (MEMS) Technol., CA, USA) ,  OTT John A. (IBM, NY, USA) ,  BURNS Lindsay E. (Hopewell Junction, NY, USA) ,  FISCHETTI Massimo V. (Univ. Massachusetts, MA, USA) ,  IEONG Meikei (IBM, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53  号： 5  ページ： 965-978  発行年： 2006年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si CMOSを主とするVLSIの進展とともにキャリア移動度...

シソーラス用語： *超LSI ,...
準シソーラス用語： *HOT ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0384325&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  CMOS ,  ロードマップ ,  拡張 ,  方位 ,  HOT