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J-GLOBAL ID：200902226266329733   整理番号：08A1243432

珪素及びマグネシウム添加窒化インジウムからのテラヘルツ波放射

Terahertz emission from silicon and magnesium doped indium nitride

著者 (4件)： WILKE Ingrid (Dep. of Physics, Applied Physics, and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  ASCAZUBI Ricardo (Dep. of Physics, Applied Physics, and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  LU Hai (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  SCHAFF William J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 22  ページ： 221113  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長させたままのn型InN,珪素添加InN,マグネシウム添加InNからのテラヘルツ波のフェムト秒光励起放射を実験で調べた。これらの物質からのテラヘルツ波放射を直流Hall移動度とキャリア濃度の関数として測定した。InN:Si及び自然のn型InNからのテラヘルツ波放射は移動度とともに増加し,これはInNからのテラヘルツ波放射の一次機構として過渡光電流に対して予想された。InN:MgはInN:Siよりもテラヘルツ波放射が強かった。これはMgがInNのアクセプタとして電気的に活性であることの実験証拠である。InN:Siからのテラヘルツ波放射は負性n型InNの場合よりも弱く,これはInNの電気的活性ドナーである珪素による電子濃度の増大に起因した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  半導体材料 ,  *ドーピング ,  *電磁波 ,  電磁波放射 ,  ケイ素 ,  マグネシウム ,  フェムト秒 ,  光ポンピング ,  Hall移動度 ,  キャリア密度 ,  光電流 ,  アクセプタ ,  ドナー ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 光励起

分類 (1件)： 電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 珪素 ,  マグネシウム ,  窒化インジウム ,  テラヘルツ波放射