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J-GLOBAL ID:200902226627459882   整理番号:08A0559041

シリコン上の整列直線金属パターンのアセンブリ

Assembly of aligned linear metallic patterns on silicon
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 500-506  発行年: 2007年08月 
JST資料番号: W2059A  ISSN: 1748-3387  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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シリコン上に金,パラジウム,及び白金の直線金属なの構造を合成するために,整列ブロック共重合体自己集合構造を応用するウエット化学アプローチを述べた。サブ50nm間隔をもつ平行金属線及び同心リングが,グラフォエピタキシ,金属イオン負荷,及び還元の組合せを用いて実現できることを示した。規則的な直線金属ナノ構造を創り出すためのボトムアップ及びトップダウンアプローチの組合せは,広範囲の硬い技術的に重要な半導体と柔らかい材料を集積する可能性をもつ。軟材料は,半導体表面化学に化学的選択性,機能性,及び有機合成技術をもたらす。
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分類 (1件):
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金属薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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