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J-GLOBAL ID：200902226872006753   整理番号：08A0875205

エピタキシャル多層グラフェンの成長と形態

The growth and morphology of epitaxial multilayer graphene

著者 (3件)： HASS J (Georgia Inst. of Technol., GA, USA) ,  DE HEER W A (Georgia Inst. of Technol., GA, USA) ,  CONRAD E H (Georgia Inst. of Technol., GA, USA)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 20  号： 32  ページ： 323202,1-27  発行年： 2008年08月13日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS回路に続く技術としてSiC上に成長させたエピタキシャルグラフェン層が期待される。そのためには成長と構造を詳しく解明する必要がある。本論文ではSiC上のエピタキシャル多層グラフェンの成長と形態について以下の内容で解説した。1)グラフェンとSiCの構造(グラフェン構造,SiC構造,SiC上のグラフェンのエピタクシー),2)エピタキシャルグラフェンの作製(表面生成,成長の運動論,グラフェンの剥離),3)SiC上のエピタキシャルグラフェンの構造(グラフェン-SiC界面,C面グラフェンの回転積層,厚みの決定)。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  多層膜 ,  *グラファイト ,  形態 ,  *炭化ケイ素 ,  層間剥離 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  多層グラフェン ,  成長 ,  形態