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J-GLOBAL ID：200902227070244027   整理番号：03A0393550

c面サファイア上GaNエピタキシャル層の表面弾性波伝搬性質の実験的および理論的キャラクタリゼーション

Experimental and theoretical characterization of the surface acoustic wave propagation properties of GaN epitaxial layers on c-plane sapphire.

著者 (6件)： CHOI K H (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM H J (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHUNG S J (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM J Y (National Inst. Standards and Technol., Maryland) ,  LEE T K (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Y J (Kyonggi Univ., Suwon, KOR)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 18  号： 5  ページ： 1157-1161  発行年： 2003年05月 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア上の窒化ガリウムエピタキシァル層の表面弾性波(SA...

シソーラス用語： エピタクシー ,...
準シソーラス用語： ピエゾセラミック

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分類 (2件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： サファイア ,  GaN ,  エピタキシャル層 ,  弾性波伝搬 ,  性質 ,  実験 ,  理論 ,  キャラクタリゼーション