C60の感光性ジアゾ/PVAレジストへの応用

HARADA Kieko; TANIAI Tetsuyuki; NAKADA Masahiro; HAMANA Hiroshi; MATSUDA Kiyomi; TAKAHARA Shigeru; SUGITA Kazuyuki

文献

J-GLOBAL ID：200902227267173679 整理番号：08A0675531

C60の感光性ジアゾ/PVAレジストへの応用

Application of C₆₀ to Photosensitive Diazo/PVA Resist

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 21 号： 1 ページ： 59-62 発行年： 2008年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

フラーレン(C₆₀)または包接化合物;18-crown-6およびポリエチレングリコール300(PEG),に導入されたパラ-置換ベンゼンジアゾ化合物(SBD)の分解温度(D.T.)を固体中TDAおよびDTAにより決定した。18C6中のSBDのD.T.はC₆₀中のものより高かった。C₆₀中のSBDのD.T.はC₆₀なしの場合より高く,PEG中のSBDはPEGなしの場合より低かった。18C6はジアゾ基を包接するがC₆₀はヂアゾ化合物を導入または配位する。ヂアゾ化合物とC₆₀が(1:1)および(1:2)の安定化エネルギーはWinMOPACによって各々1.7および-4.4kalと算出された。C₆₀中のジフェニル-4-ジアゾニウム硫酸塩/ホルムアルデヒド縮合物(DSR)を含むPVAレジスト膜の光分解速度はC₆₀なしの場合と同等であった。18C6を含むDSR/PVAレジストの光分解速度は18C6なしの場合より小さかった。1/10および1/1のC₆₀(ヂアゾの重量に対して)を含むレジスト層の硬度はC₆₀なしの場合より各々2%および20%硬かった。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般 , 抵抗性

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引用文献 (17件)：

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