InNのN型伝導度の起源:正に帯電した転位の役割

PIPER L. F. J.; VEAL T. D.; MCCONVILLE C. F.; LU Hai; SCHAFF W. J.

文献

J-GLOBAL ID：200902227330587470 整理番号：06A0503446

InNのN型伝導度の起源:正に帯電した転位の役割

Origin of the n-type conductivity of InN: The role of positively charged dislocations

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巻： 88 号： 25 ページ： 252109-252109-3 発行年： 2006年06月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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