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J-GLOBAL ID:200902227751859658   整理番号:09A1258652

非対称並列結合量子ドットにおけるFano効果と負性微分コンダクタンス

Fano-effect and negative differential conductance in asymmetric parallel coupled quantum dots
著者 (3件):
資料名:
巻: 405  号:ページ: 239-246  発行年: 2010年01月01日 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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結合量子ドット系を通る輸送を非平衡Green関数定式化を用いて研究した。ドット上Coulomb斥力によるドット間トンネリングは含めたが,ドット間Coulomb相互作用は無視した。直列配置から対称並列配置への遷移及びT字型結合量子ドット系における系の挙動を探求した。Fermiエネルギーの関数としての透過係数は遷移の過程でFano効果を示した。系は直列状態において低バイアスで負性微分コンダクタンスと逆電流を示した。直列配置から非対称並列配置への遷移の過程での負性微分コンダクタンスの存在はドット間トンネリングとドット-リード結合の間の競合によって規制されることを示した。負性微分コンダクタンスとT字型二重ドットの輸送特性に及ぼすドット間トンネリング効果を調べた。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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電子輸送の一般理論 
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