GaNの光ルミネセンスとIn<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN多重量子井戸の誘導放出に対する1軸応力効果

ICHIMIYA M; WATANABE M; OHATA T; HAYASHI T

文献

J-GLOBAL ID：200902227942047734 整理番号：03A0709623

GaNの光ルミネセンスとIn_xGa_1-xN/GaN多重量子井戸の誘導放出に対する1軸応力効果

Effect of uniaxial stress on photoluminescence in GaN and stimulated emission in In_xGa_1-xN/GaN multiple quantum wells.

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資料名：
巻： 68 号： 3 ページ： 035328.1-035328.7 発行年： 2003年07月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ウルツ鉱型GaNバルク結晶とIn_xGa...

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半導体のルミネセンス

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GaNの光ルミネセンスとInxGa1-xN/GaN多重量子井戸の誘導放出に対する1軸応力効果

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