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J-GLOBAL ID：200902227960589013   整理番号：08A0416052

平滑膜中のIr(ppy)₃分子間のエネルギー移動とリン光の濃度消光

Energy transfer between Ir(ppy)₃ molecules in neat film and concentration quenching of phosphorescence

著者 (2件)： TSUBOI Taiju (Fac. of Engineering, Kyoto Sangyo Univ., Kamigamo, Kyoto 603-8555, JPN) ,  ALJAROUDI Nadeer (Fac. of Engineering, Kyoto Sangyo Univ., Kamigamo, Kyoto 603-8555, JPN)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 30  号： 9  ページ： 1375-1381  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三重項T₁状態の三ゼロ場分離基板のレート方程式を解いて,光励起平滑膜中のIr(ppy)₃単量体のリン光量子効率と寿命の温度依存性を数値計算した。この解析では三基板間のスピン-フォノン緩和と熱活性化過程による励起子状態への励起エネルギー移動を考慮した。励起子形成と三重項-三重項消滅の両方の効果,例えば,(1)効率は温度が300Kから125Kへ下がると増加し,さらに125Kから5Kへ下がると減少すること,および(2)リン光の減衰曲線は多重指数関数となり,そこでは温度が300Kから減少すると寿命が増加することを考慮すると,計算した量子効率と寿命はよく一致した。この平滑膜の単量体発光の濃度消光は主として975cm^-1の活性化エネルギーおよび部分三重項-三重項消滅とポラリトン対消滅をもつ三重項励起子の形成によることが示唆された。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *高分子薄膜 ,  *ポリスチレン ,  ドーピング ,  *イリジウム錯体 ,  *エネルギー移動 ,  *リン光 ,  平滑度 ,  三重項 ,  単量体 ,  量子効率 ,  放射寿命 ,  温度依存性 ,  数値解析 ,  スピン-フォノン相互作用 ,  励起子 ,  三重項-三重項消滅 ,  活性化エネルギー ,  ポラリトン
準シソーラス用語： 熱活性化過程 ,  *濃度消光

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A)

物質索引 (1件)： 2-フェニルピリジン

タイトルに関連する用語 (5件)： 滑膜 ,  Ir ,  エネルギー移動 ,  リン光 ,  濃度消光