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J-GLOBAL ID：200902228449408058   整理番号：08A1224299

高分解能電子顕微鏡と電子線ホログラフィーによるMOSFET中の歪みマッピング

Strain mapping in MOSFETS by high-resolution electron microscopy and electron holography

著者 (5件)： HUEE Florian (CEMES-CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, FRA) ,  HYTCH Martin (CEMES-CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, FRA) ,  HOUDELLIER Florent (CEMES-CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, FRA) ,  SNOECK Etienne (CEMES-CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, FRA) ,  CLAVERIE Alain (CEMES-CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, FRA)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 154-155  ページ： 221-224  発行年： 2008年12月05日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメータースケールでMOSFET中の歪みをマッピングする,二つの方法を発表する。収差を補正した高分解能電子顕微鏡(HRTEM)を幾何学的位相解析(GPA)と組合せると,デバイスの動作領域を横断して歪み場を正確に決めるのに十分な信号雑音比を得る。有限要素法(FEM)シミュレーションを用いて,測定結果を確定した。しかし,視野は約100nm²に限られている。これを克服するために,軸外し電子ホログラフィーと暗視野イメージングに基づく,暗視野ホログラフィーと呼ばれる新手法を開発した。この新手法はHRTEMよりも良好な歪み分解能を与え,4nmの空間分解能と1μmの視野を有している。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *高分解能電子顕微鏡 ,  *ホログラフィー ,  *MOSFET ,  格子歪 ,  *歪分布 ,  空間分解能 ,  ケイ素 ,  MOS構造 ,  *有限要素法 ,  計算機シミュレーション ,  ゲート【半導体】 ,  SN比
準シソーラス用語： *電子線ホログラフィー ,  PMOS構造

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  ホログラフィーの応用  (BD03074U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分解能電子顕微鏡 ,  電子線ホログラフィー ,  MOSFET ,  歪み ,  マッピング