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J-GLOBAL ID：200902228465440034   整理番号：09A0848981

5.5MB/sのプログラムスループットを有する48nm 32Gb 8レベル NANDフラッシュメモリ

A 48nm 32Gb 8-Level NAND Flash Memory with 5.5MB/s Program Throughput

著者 (18件)： CHANG Seung-Ho (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  LEE Sok-kyu (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  PARK Seong-Je (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  JUNG Min-Joong (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  HAN Jung-Chul (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  WANG In-Soo (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  LIM Kyu-hee (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  LEE Jung-Hwan (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  KIM Ji-Hwan (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  KANG Won-Kyung (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  KANG Tai-Kyu (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  BYUN Hee-Su (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  NOH Yu-Jong (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  KWON Lee-Hyun (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  KOO Bon-Kwang (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  CHO Myung (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  YANG Joong-Seob (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR) ,  KOH Yo-Hwan (Hynix Semiconductor, Icheon, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2009  ページ： 314-316  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリ応用分野ではNANDフラッシュの低コスト化と高密度化が重要である。8値や16値のセル技術が注目されているが,2つの大きな問題がある。一つはプログラムスループットが低いこと,もう一つは閾値窓のマージンが十分に取れないことである。本研究では5.5MB/sのプログラムスループットを有する8レベルの48nm 32Gb NANDフラッシュメモリにつき報告した。高スループット化のため,パスビット検出器,スマートブラインドプログラム方式などを開発するとともに,従来の方式に比べてスループットを約30%増加させ,5.5MB/sを達成した。これにより,48nmプロセスで8値の32Gb NANDフラッシュメモリを201mm²で実現した。

シソーラス用語： *スループット ,  *NAND回路 ,  *フラッシュメモリ ,  原価低減 ,  *微細加工 ,  検出器 ,  ディジタル変調 ,  信号レベル ,  ブラインド ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： プログラム ,  高密度化

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (2件)： スループット ,  NANDフラッシュメモリ