ひ化ガリウム(001)におけるひ化インジウム量子ドット成長におけるアンチモンの効果

SUN Y.; CHENG S.F.; CHEN G.; HICKS R.F.; CEDERBERG J.G.; BIEFELD R.M.

文献

J-GLOBAL ID：200902228559482938 整理番号：05A0363851

ひ化ガリウム(001)におけるひ化インジウム量子ドット成長におけるアンチモンの効果

The effect of antimony in the growth of indium arsenide quantum dots in gallium arsenide (001)

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資料名：
巻： 97 号： 5 ページ： 053503.1-053503.6 発行年： 2005年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOVPEによるGaAs上のInAs量子ドット(QD)成長に...

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半導体薄膜

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