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J-GLOBAL ID：200902228645422263   整理番号：09A1084314

合成AFスピンバルブ構造磁気ナノコンタクトスピントルク振動子における狭い線幅の高レベル振動

High Level Oscillations With Narrow Linewidth in Magnetic Nano-Contact Spin Torque Oscillator With Synthetic AF Spin-Valve Structure

著者 (7件)： ENDO Hiroaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANAKA Toshiyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  DOI Masaaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HASHIMOTO Susumu (Toshiba Corp., Saiwai-ku, JPN) ,  NIU FUKE Hiromi (Toshiba Corp., Saiwai-ku, JPN) ,  IWASAKI Hitoshi (Toshiba Corp., Saiwai-ku, JPN) ,  SAHASHI Masashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 45  号： 10  ページ： 3418-3421  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピントルク振動と呼ばれる磁気抵抗素子における動力学的磁化特性が注目を集めている。著者らは,合成反強磁性体(AF)とFe-AlO_xナノ酸化膜層(NOL)を持つナノコンタクト磁気抵抗(NCMR)素子における特有のマイクロ波振動を既に観測している。ここでは,このNOLによるナノ集約構造をスピントルク振動子に適用し,面内印加高磁場の下で18nVHz^-1/2の高レベル振動を観測した。FWHMは12MHzであった。また,振動周波数の印加電圧依存性と印加磁場を明らかにした。振動周波数は印加電圧による青方偏移を示した。

シソーラス用語： 反強磁性体 ,  *素子構造 ,  巨大磁気抵抗効果 ,  多層膜 ,  磁性薄膜 ,  *トルク ,  *振動子 ,  動力学 ,  磁化特性 ,  酸化膜 ,  酸化アルミニウム ,  酸化鉄 ,  スペクトル線幅 ,  電圧依存性 ,  磁場効果 ,  振動数 ,  マイクロ波 ,  FWHM ,  青方偏移 ,  *スピンバルブ ,  *スピントルク ,  化成皮膜

分類 (3件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (6件)： AF ,  スピンバルブ構造 ,  磁気 ,  振動子 ,  線幅 ,  高レベル