文献

J-GLOBAL ID：200902228783276537   整理番号：07A0745151

EBE法により作製したSi基板上MgB₂薄膜における磁束ピンニング特性

著者 (9件)： 藤吉孝則 (熊本大 工) ,  春田正和 (熊本大 工) ,  梶田龍 (熊本大 工) ,  米倉健志 (熊本大 工) ,  末吉哲郎 (熊本大 工) ,  土井俊哉 (鹿児島大 工) ,  北口仁 (物質・材料研究機構) ,  淡路智 (東北大 金属材料研) ,  渡辺和雄 (東北大 金属材料研)
資料名： 東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告  (Annual Report. High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku University)
巻： 2006  ページ： 59-61  発行年： 2007年06月 
JST資料番号： X0986A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子ビーム蒸着(EBE)法でSi基板(100)上にMgB<s...

シソーラス用語： マグネシウム合金 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0745151&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=X0986A") }}

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 作製 ,  Si基板 ,  MgB2 ,  薄膜 ,  磁束ピンニング