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J-GLOBAL ID：200902228868409579   整理番号：09A0148413

全周ゲートツインポリSiナノワイヤ薄膜トランジスタの特性

Characteristics of Gate-All-Around Twin Poly-Si Nanowire Thin-Film Transistors

著者 (5件)： SHEU Jeng-Tzong (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Po-Chun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SHEU Tzu-Shiun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Chen-Chia (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Lu-An (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 30  号： 2  ページ： 139-141  発行年： 2009年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリSiTFTはデバイスサイズを縮小すると短チャネル効果(SCE)の影響を受ける。多ゲートデバイスがチャネルのゲート制御性を高めデバイス性能を改善するものとして提案されている。全周ゲート(GAA)構造がよりすぐれたチャネル制御性をもたらすが,GAAのポリSiTFTは依然ポリSiチャネルの固有欠陥に影響される。本レターはNH₃プラズマ処理で捕獲準位密度を減少させ,GAATツイン多結晶ナノワイヤ(NW)TFTの性能を向上させた。表面体積比の大きいナノワイヤと分離チャネル構造の組み合わせはNH₃プラズマ処理の効果を高め,粒界捕獲準位密度を効率的に減少させた。GAAツインNW TFTはSCEの影響も受けず,閾値電圧V_th=-0.38V,サブ閾値スイング114mV/dec,オン/オフ電流比>10⁸の特性を示した。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *薄膜トランジスタ ,  短チャネル効果 ,  *プラズマ処理 ,  捕獲中心 ,  電圧 ,  閾値 ,  アンモニア ,  電流電圧特性 ,  多結晶 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  ポリSi ,  ナノワイヤ ,  薄膜トランジスタ