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J-GLOBAL ID：200902228989539577   整理番号：08A0095590

より低いEMI雑音とより低いスイッチング損失を特徴とする次世代1200VトレンチゲートFS-IGBTの開発

Development of the next generation 1200V trench-gate FS-IGBT featuring lower EMI noise and lower switching loss

著者 (6件)： ONOZAWA Y. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  NAKANO H. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  OTSUKI M. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  YOSHIKAWA K. (Fuji Electric Advanced Technol. Co., Ltd.) ,  MIYASAKA T. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  SEKI Y. (Fuji Electric Holdings Co., Ltd.)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 19th  ページ： 13-16  発行年： 2007年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IGBTモジュールは,電力スイッチング応用に広く使われている...

シソーラス用語： *IGBT ,...
準シソーラス用語： *EMI【電磁干渉】 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (7件)： EMI ,  雑音 ,  スイッチング損失 ,  次世代 ,  トレンチゲート ,  IGBT ,  開発