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J-GLOBAL ID:200902229036796099   整理番号:09A1218201

CoFeAlSi-MgOグラニュラ膜のトンネル磁気抵抗

Tunnel Magnetoresistance of CoFeAlSi-MgO Granular films
著者 (5件):
資料名:
巻: 33  号: 6_2  ページ: 455-458 (J-STAGE)  発行年: 2009年 
JST資料番号: Z0944A  ISSN: 1882-2924  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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CoFeAlSi(CFAS)を使ったグラニュラ膜のトンネル磁気抵抗(TMR)効果について調べた。グラニュラ膜は,MgOバッファ,CFAS,および保護MgO層で構成されている。連続構造から粒状構造への構造変化は,CFASの呼び厚に従って,抵抗率としてはっきりと現れた。加熱基板上で制作された試料は,大きなMR比を示し,厚さ2.0nmのCFASに対して最大MR比5.5%となった。X線光電子分光法の深さプロファイルから,Feは顆粒表面で優先的に酸化されるが,Coはそうでないことがわかる。TEM顕微鏡写真は,200°Cの加熱基板上で制作された試料に対し,直径が3.0-5.0nmの,比較的均一な顆粒を示している。しかし,L21配位構造は,基板温度が低いため確認されなかった。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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磁性材料 
タイトルに関連する用語 (2件):
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