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J-GLOBAL ID：200902229197438206   整理番号：09A0051205

超高相対屈折率コントラストのGaAsナノワイヤ導波路

Ultrahigh Relative Refractive Index Contrast GaAs Nanowire Waveguides

著者 (8件)： KATOUF Redouane (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Naokatsu (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KANNO Atsushi (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SEKINE Norihiko (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  AKAHANE Kouichi (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SOTOBAYASHI Hideyuki (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  ISU Toshiro (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  TSUCHIYA Masahiro (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 12  ページ： 122101.1-122101.3  発行年： 2008年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上に化合物半導体ナノワイヤ導波路を効果的且つ実用的に作製する手順を開発した。断面400×400mm²,曲率半径10μm,40%の高い相対屈折率定数を持つGaAsナノワイヤ導波路を作製することに初めて成功した。1.55μmで測定した伝送損失は約4.5dB/mm,90°曲げ当りの曲げ損失は<0.8dBであった。損失は粗い側壁における光散乱により支配されると考えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  ナノワイヤ ,  *光導波路 ,  屈折率 ,  *伝送損失 ,  光散乱

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

引用文献 (20件)：

• TONG, L. M. Nature. 2003, 426, 816
• CLAPS, R. Opt. Express. 2002, 10, 1305
• KOOS, C. Opt. Express. 2007, 15, 5976
• GREEN, W. M. J. Opt. Express. 2007, 15, 17106
• FUKUDA, H. Opt. Express. 2005, 13, 4629

タイトルに関連する用語 (4件)： コントラスト ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  導波路