ドープした珪素の硬X線光電子分光法

CHAINANI A.; CHAINANI A.; TANAKA Yasutaka; EGUCHI Ritsuko; EGUCHI Ritsuko; OHTSUKI Takumi; MATSUNAMI Masaharu; MATSUNAMI Masaharu; NISHINO Yoshinori; TAMASAKU Kenji; YABASHI Makina; TAKAHASHI Takashi; YOSHIDA Hiroshi; ISHIKAWA Tetsuya; ISHIKAWA Tetsuya; SHIN Shigi; SHIN Shigi

文献

J-GLOBAL ID：200902229213566287 整理番号：09A0862976

ドープした珪素の硬X線光電子分光法

Hard X-ray photoelectron spectroscopy of doped Silicon

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=09A0862976&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=09A0862976&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0671B") }}

著者 (17件)： , , , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 64 号： 2 第4分冊ページ： 647 発行年： 2009年08月18日
JST資料番号： S0671B ISSN： 1342-8349 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

, , , ,

電子分光スペクトル

, ,

前のページに戻る