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J-GLOBAL ID：200902229380944935   整理番号：03A0463844

バンドギャップの共通陽イオン法則の破綻 InNの小さいバンドギャップの起源

Breakdown of the band-gap-common-cation rule: The origin of the small band gap of InN.

著者 (4件)： WEI S-H (National Renewable Energy Lab., Colorado) ,  NIE X (National Renewable Energy Lab., Colorado) ,  BATYREV I G (National Renewable Energy Lab., Colorado) ,  ZHANG S B (National Renewable Energy Lab., Colorado)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 67  号： 16  ページ： 165209.1-165209.4  発行年： 2003年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子番号が小さくなると半導体化合物のバンドギャップは大きくな...

シソーラス用語： *窒化インジウム ,...
準シソーラス用語： *禁止帯

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分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンドギャップ ,  陽イオン ,  法則 ,  破綻 ,  InN ,  起源