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J-GLOBAL ID：200902229553792435   整理番号：04A0418883

歪Siオン絶縁体技術 素材から素子に

Strained Si on insulator technology: from materials to devices

著者 (9件)： LANGDO T A (AmberWave Systems Corp., NH, USA) ,  CURRIE M T (AmberWave Systems Corp., NH, USA) ,  CHENG Z-Y (AmberWave Systems Corp., NH, USA) ,  FIORENZ J G (AmberWave Systems Corp., NH, USA) ,  ERDTMANN M (AmberWave Systems Corp., NH, USA) ,  BRAITWAITE G (AmberWave Systems Corp., NH, USA) ,  LAUER I (MIT, MA, USA) ,  ANTONIADIS D A (MIT, MA, USA) ,  SOMERVILLE M (Franklin W. Olin Coll. of Engineering, MA,USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 48  号： 8  ページ： 1357-1367  発行年： 2004年08月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体プラットフォームの利点を実現するために二つの手法により...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪 ,  Si ,  絶縁体 ,  素材