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J-GLOBAL ID：200902230044507746   整理番号：05A0427109

Siナノピラミッドの高密度配列形成(X)-TMAHによるSiエッチングの最適化-

著者 (6件)： 松谷巌 (早大 材研) ,  藤田悟 (早稲田大 理工) ,  沼尾吉照 (早稲田大 理工) ,  坂入光昭 (早稲田大 理工) ,  谷井孝至 (早稲田大 理工) ,  大泊巌 (早稲田大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 2  ページ： 859  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 水酸化テトラメチルアンモニウム

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  電子源,イオン源  (BD02020U)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ナノピラミッド ,  高密度 ,  配列形成 ,  TMAH ,  Siエッチング ,  最適化