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J-GLOBAL ID:200902230052959680   整理番号:08A0909767

ゾル-ゲル法で作製したMnドープSnO2薄膜の室温強磁性

Room temperature ferromagnetism of Mn-doped SnO2 thin films fabricated by sol-gel method
著者 (10件):
資料名:
巻: 254  号: 22  ページ: 7459-7463  発行年: 2008年09月15日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Si(111)基板上にスピンコーテイングしたSn1-xMnxO2(x≦0.11)薄膜をゾル-ゲル法で作製した。X線回折から,単相ルチル多結晶構造をxで約0.078まで得られることが明らかになった。格子パラメータの発展とX線光電子分光研究によりSnO2格子へのMn3+カチオンの取り込みを確認した。磁気測定から,全てのSn1-xMnxO2薄膜は室温で強磁性を示し,それらが本質的な特性であることが確認された。磁化データはMn含有量の増加につれMn原子あたりの平均磁気モーメントが減少し,保磁力は増加することを示した。室温強磁性の起源は束縛された磁気ポーラロンのパーコレーションで理解できた。著者らの実験の結果,化学合成による室温強磁性を持つ遷移金属ドープSnO2ナノ構造作製にゾル-ゲル法が効果的であることを証明した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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酸化物薄膜  ,  磁区・磁化過程一般  ,  磁性材料 

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