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J-GLOBAL ID：200902230274455940   整理番号：04A0417875

層状半導体TlSの間接核交換結合と電子構造 NMR研究とバンド構造計算

Indirect nuclear exchange coupling and electronic structure of the layered semiconductor TlS: NMR study and band structure calculation

著者 (2件)： PANICH A M (Ben-Gurion Univ. Negev, Beer Sheva, ISR) ,  KASHIDA S (Niigata Univ., Niigata, JPN)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 16  号： 18  ページ： 3071-3080  発行年： 2004年05月12日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ²⁰³Tlと<sup>205</sup...

シソーラス用語： 層状化合物 ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 層状 ,  TLS ,  間接 ,  核 ,  交換結合 ,  電子構造 ,  NMR ,  研究 ,  バンド構造 ,  計算