新しいB<sub>2</sub>H<sub>6</sub>/ヘリウム自動調節プラズマドーピングプロセスにより製造されるFinFETのための共形ドーピングおよびプレーナFETのための精密な制御可能な浅いドーピング

SASAKI Y.; OKASHITA K.; NAKAMOTO K.; KITAOKA T.; MIZUNO B.; MIZUNO B.; OGURA M.

文献

J-GLOBAL ID：200902230390427120 整理番号：09A0484936

新しいB₂H₆/ヘリウム自動調節プラズマドーピングプロセスにより製造されるFinFETのための共形ドーピングおよびプレーナFETのための精密な制御可能な浅いドーピング

Conformal Doping for FinFETs and Precise Controllable Shallow Doping for Planar FET Manufacturing by a Novel B₂H₆/Helium Self-Regulatory Plasma Doping Process

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 2008 Vol.2 ページ： 917-920 発行年： 2008年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

フィンの側壁にエクステンションを形成するために共形ドーピング技術が必要であり,この要求を解決するためにいろいろな方法が提案されている。本論文では,イオン注入の小さい共形性,およびプラズマドーピング,気相堆積およびALDの小さい制御性をそれぞれ解決するために,新しい自動調節プラズマドーピング(SRPD)技術を開発した。新しいSRPDはB₂H₆/ヘリウムガスプラズマを使用し,極く浅いドーピングを与えることができる。金属/高kゲートスタックとプレーナpMOSFETを有するFinFETを用いて新しいSRPDの利点を検証し,短チャネル効果の改良,I_ONの増加を確認した。32nmノード以降のノード時代では,この新しいSRPDがpMOS FinFETおよびプレーナpMOSFET両方に必須であると確信している。

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トランジスタ , 固体デバイス製造技術一般

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