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J-GLOBAL ID：200902230608959260   整理番号：08A0781395

骨格前駆体としてテトラメチルシクロテトラシロキサンで作製した超低誘電率のpSiCOH膜

Ultralow dielectric constant pSiCOH films prepared with tetramethylcyclotetrasiloxane as skeleton precursor

著者 (2件)： GRILL A. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  PATEL V. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 2  ページ： 024113  発行年： 2008年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 骨格前駆体としてテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)及び二種類の異なるポロゲン前駆体を使用して超低誘電率のpSiCOH膜を作製した。堆積した膜から400°Cの熱アニーリングによりポロゲンを除去することにより誘電率が1.95までの膜が得られた。この膜をFourier変換赤外分光法により調べて,金属-絶縁体-半導体構造で屈折率(n)のn&k光学測定及び電気特性を測定した。アニールした膜の特性は堆積温度及び使用したポロゲン,同じ最終誘電率を得るために必要なプラズマ供給におけるポロゲンの異なる濃度に依存することが分かった。TMCTSから作製した膜中へのポロゲン混合の効果は非常に低くて選んだポロゲン前駆体に依存した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *層間絶縁 ,  *多孔質体 ,  *絶縁膜 ,  前駆体 ,  発泡剤 ,  基板 ,  ケイ素 ,  基板温度 ,  収縮 ,  誘電率 ,  光学ギャップ ,  屈折率 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  濃度依存性 ,  *有機ケイ素化合物 ,  酸素複素環化合物 ,  エポキシ化
準シソーラス用語： ポロゲン

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (3件)： 2,4,6,8-テトラメチルシクロオクタンテトラシロキサン ,  シクロペンテンオキシド ,  ブタジエンモノオキシド

タイトルに関連する用語 (5件)： 骨格 ,  前駆体 ,  テトラメチルシクロテトラシロキサン ,  作製 ,  低誘電率