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J-GLOBAL ID：200902230647249890   整理番号：04A0342154

C₂H₂F₂ガスを用いた高周波プラズマCVD法による超はっ水性薄膜合成

著者 (4件)： 大津康徳 (佐賀大 理工) ,  山上暢久 (佐賀大 理工) ,  三沢達也 (佐賀大 理工) ,  藤田寛治 (佐賀大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 1  ページ： 154  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,...
準シソーラス用語： 超はっ水性

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分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

物質索引 (1件)： 1,1-ジフルオロエテン

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波 ,  プラズマCVD法 ,  超はっ水性 ,  薄膜