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J-GLOBAL ID：200902231486468150   整理番号：08A0773476

電気化学的に成長したZnO薄膜のメタンセンサーとしての優れた性能

The superior performance of the electrochemically grown ZnO thin films as methane sensor

著者 (5件)： BASU P.k. (IC Design & Fabrication Centre, Dep. of Electronics & Telecommunication Engineering, Jadavpur Univ., Kolkata 700032, IND) ,  BHATTACHARYYA P. (Dep. of Electronics & Telecommunication Engineering, Bengal Engineering and Sci. Univ., Shibpur, Howrah 711103, IND) ,  SAHA N. (IC Design & Fabrication Centre, Dep. of Electronics & Telecommunication Engineering, Jadavpur Univ., Kolkata 700032, IND) ,  SAHA H. (IC Design & Fabrication Centre, Dep. of Electronics & Telecommunication Engineering, Jadavpur Univ., Kolkata 700032, IND) ,  BASU S. (IC Design & Fabrication Centre, Dep. of Electronics & Telecommunication Engineering, Jadavpur Univ., Kolkata 700032, IND)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 133  号： 2  ページ： 357-363  発行年： 2008年08月12日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pd-Ag/ZnO/ZnとRh/ZnO/Zn MIM(金属-絶縁体-金属)のガスセンサーをナノ多孔性のZnO薄膜を使用して作成した。この薄膜はUV光線を照射しない場合と照射した場合の電気化学的析出によって形成した。この析出には高純度のZn陽極,Pt陰極,塩化第一水銀の対照電極および0.3Mシュウ酸電解質を使用した。Pd-Ag(26%)とRhを触媒金属電極として別々に使用し,2つの異なる型のMIM配置を形成した。Pd-Ag接触では3.85±2のガス応答,5±0.5秒の応答時間および16±0.5秒の回復時間になったが,Rh接触では4.82±2の応答,2.4±0.5秒の応答時間および72±0.5秒の回復時間になった。これらの性能の最適温度220°Cは金属酸化物センサーがN₂キャリヤガス中の1%のメタンを感知するとこれまで報告されている限り最低の温度である。UVによって促進された高純度Znの電気化学的陽極酸化によって成長したドープしていない酸化亜鉛薄膜はメタン感知に関して良好の性能を示した。合成大気中で実験を繰り返すと性能は低下した。水素の存在する場合の選択性とセンサーの安定度も研究した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *パラジウム合金 ,  銀含有合金 ,  二元合金 ,  *ロジウム触媒 ,  *酸化亜鉛 ,  *亜鉛 ,  MIM構造 ,  *ガスセンサ ,  紫外線照射 ,  アノード酸化 ,  酸化膜 ,  電極触媒 ,  応答時間 ,  検出限界 ,  水素 ,  安定性 ,  繰返し試験 ,  劣化 ,  耐久性 ,  アルカン ,  脂肪族カルボン酸 ,  ジカルボン酸

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

物質索引 (2件)： メタン ,  シュウ酸

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学 ,  成長 ,  ZnO薄膜 ,  メタン ,  センサー