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J-GLOBAL ID：200902231570429969   整理番号：08A0818553

NiO/Pt膜の抵抗スイッチング中における酸素移動の直接観察

Direct observation of oxygen movement during resistance switching in NiO/Pt film

著者 (4件)： YOSHIDA Chikako (Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0197, JPN) ,  KINOSHITA Kentaro (Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0197, JPN) ,  YAMASAKI Takahiro (Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0197, JPN) ,  SUGIYAMA Yoshihiro (Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0197, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 4  ページ： 042106  発行年： 2008年07月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低抵抗状態と高抵抗状態の両方を,導電性原子間力顕微鏡を用いてNiO/Pt膜の局所領域にバイポーラ電圧応用によって書込むことができることを実証した。酸素が抵抗スイッチング現象で果たす役割を研究するために,¹⁸Oトレーサガス雰囲気中で局所書込みプロセスを実行して,組成変化を飛行時間二次イオン質量分光法によって調べた。結果として,酸素が陽極側に移動し,NiO表面の組成が変化して,抵抗変化を起こすことが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ニッケル ,  *白金 ,  *金属薄膜 ,  *半導体薄膜 ,  電気抵抗 ,  スイッチング ,  *酸素 ,  *移動 ,  導電性 ,  原子間力顕微鏡 ,  酸素18 ,  トレーサ法 ,  化学組成 ,  飛行時間法 ,  二次イオン質量分析 ,  アノード

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (3件)： Pt ,  抵抗スイッチング ,  酸素移動