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J-GLOBAL ID：200902231586359111   整理番号：09A0149595

プリンテッドトランジスター用の高移動度電子輸送高分子

A high-mobility electron-transporting polymer for printed transistors

著者 (8件)： YAN He (Polyera Corp., Illinois, USA) ,  CHEN Zhihua (Polyera Corp., Illinois, USA) ,  ZHENG Yan (Polyera Corp., Illinois, USA) ,  NEWMAN Christopher (Polyera Corp., Illinois, USA) ,  QUINN Jordan R. (Polyera Corp., Illinois, USA) ,  DOETZ Florian (BASF Global Res. Center Singapore, Singapore) ,  KASTLER Marcel (BASF SE, Ludwigshafen, DEU) ,  FACCHETTI Antonio (Polyera Corp., Illinois, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 457  号： 7230  ページ： 679-686  発行年： 2009年02月05日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プリンテッドエレクトロニクスは,従来とは異なり,プラスチック箔上に電子デバイスを製造することを目指した革新的な技術であり,有機薄膜トランジスター(OTFT)作製には,高分子半導体を使わなくてはならないだろう。このような材料は,周囲条件で良好な電荷輸送特性をもつことに加え,化学的安定性,一般的溶媒への大きな溶解度,溶液が高価でないことや低温での加工性などの重要な要件を満たす必要がある。さらに,pチャネルとnチャネルのOTFTが協調して動作する強力な相補回路技術が使えるようにするためには,正孔を輸送するpチャネルと,電子を輸送するnチャネル半導体の両方が,ゲート誘電体とコンタクト材料の単一の組合せで互換性をもつことが要求される。周囲条件で動作する高分子相補回路は,現状では実現するのが難しい。また優れたpチャネル高分子は広く利用できるが,高性能のnチャネル高分子の実現はさらに困難である。本論文では,Auコンタクトとさまざまな高分子誘電体とを組み合せて,周囲条件で,前例のないOTFT特性(電子移動度は最高約0.45~0.85cm²V^-1s^-1に達する)を示し,溶解度が高く(約60gl^-1),印刷可能なnチャネル高分子について報告する。プラスチック基板上に,スピンコーティングやグラビア,フレキソおよびインクジェット印刷により堆積した半導体-誘電体層により,トップゲートOTFTをいくつか作製して,その加工性の多様なことを実証した。また,オールプリンテッド高分子相補インバーター(利得は25~65)を実証した。Copyright Nature Publishing Group 2009

シソーラス用語： *キャリア移動度 ,  *導電性高分子 ,  *薄膜トランジスタ ,  *相補回路 ,  誘電体 ,  プリント配線 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  *インクジェット印刷 ,  スピンコーティング ,  *インバータ ,  誘電体薄膜 ,  高分子薄膜 ,  利得 ,  半導体薄膜 ,  *基板 ,  *プラスチック ,  *交互共重合体 ,  電流電圧特性 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： P3HT ,  高分子誘電体 ,  *電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： 2,2′-ビチオフェン ,  2,7-ビス(2-オクチルドデシル)ベンゾ[lmn][3,8]フェナントロリン-1,3,6,8(2H,7H)-テトラオン

タイトルに関連する用語 (3件)： 高移動度 ,  電子輸送 ,  高分子