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J-GLOBAL ID：200902231731471413   整理番号：08A0510735

新世代ナノデバイス・材料の世界 ナノプロセス用電子ビーム多価イオン源の開発と応用

著者 (7件)： 櫻井誠 (神戸大 大学院理学研究科) ,  坂上裕之 (核融合科研) ,  渡辺裕文 (電通大 レーザー新世代研究セ) ,  中村信行 (電通大 レーザー新世代研究セ) ,  大谷俊介 (電通大 レーザー新世代研究セ) ,  照井通文 (情報通信研究機構 未来ICT研究セ) ,  益子信郎 (情報通信研究機構 未来ICT研究セ)
資料名： 化学工業  (Chemical Industry)
巻： 59  号： 6  ページ： 437-443  発行年： 2008年06月01日 
JST資料番号： F0101A  ISSN： 0451-2014  CODEN： KAKOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 多価イオン-表面反応の空間的広がりは多価イオンの価数に応じて1~数nmに限定され,多価イオンと原子の衝突断面積で明確に規定されることから,縮小倍率や収差などのビーム輸送系の性能に左右されない。多価イオンをプローブとした二次イオン質量分析により,半導体に代表される無機材料表面から生体高分子に至る広範な試料に対して,高い感度と深さ分解能で元素分析が可能である。筆者らが開発した多価イオン源は,ビーム強度が高く,製造や運転・保守が安易で安価な汎用のEBIS(電子ビームイオン源)型多価イオン源であり,下記事項について解説した。1)電子ビームイオン源の構成と電磁場の分布。2)今回開発された「Kobe EBIS」の概要と設計。3)イオン源の立上げ,a)超高真空(10^-8Pa以下)の維持,b)電子ビームの発生と高回収率,c)生成イオンの測定。4)イオン源の応用(STM観察)。

シソーラス用語： *電子ビーム ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *マイクロプローブ ,  *ナノテクノロジー ,  ナノ構造 ,  *多価イオン ,  *原子衝突 ,  断面積 ,  分子衝突 ,  ビーム輸送 ,  半導体 ,  無機材料 ,  *表面分析 ,  生体高分子 ,  感度 ,  能力 ,  分解能
準シソーラス用語： STM【顕微鏡】 ,  ナノデバイス ,  *ナノプローブ ,  検出感度 ,  衝突断面積 ,  輸送特性

分類 (3件)： 物理分析一般  (CC03011F) ,  電子ビーム,イオンビーム  (BD02030F) ,  電気的・磁気的実験技術  (BA02050S)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノデバイス ,  世界 ,  プロセス ,  電子ビーム ,  多価イオン ,  開発 ,  応用