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J-GLOBAL ID：200902231778476570   整理番号：06A0164206

りんイオン注入4H-SiC(112-0)の再結晶過程

Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(112-0)

著者 (3件)： SATOH M. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  HITOMI T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 242  号： 1-2  ページ： 627-629  発行年： 2006年01月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  4H-SiC ,  再結晶 ,  過程