バンドギャップエンジニアリング用のエレベートシリコン-ゲルマニウムインパクトイオン化領域をもつI-MOSトランジスタ

TOH Eng-Huat; WANG Grace Huiqi; CHAN Lap; LO Guo-Qiang; SAMUDRA Ganesh; YEO Yee-Chia

文献

J-GLOBAL ID：200902231959742638 整理番号：06A1014483

バンドギャップエンジニアリング用のエレベートシリコン-ゲルマニウムインパクトイオン化領域をもつI-MOSトランジスタ

I-MOS Transistor With an Elevated Silicon-Germanium Impact-Ionization Region for Bandgap Engineering

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資料名：
巻： 27 号： 12 ページ： 975-977 発行年： 2006年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

CMOSデバイスのスケーリングにより,集積回路の電力消費を低...

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トランジスタ , 固体デバイス計測・試験・信頼性

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